บ้าน ผลิตภัณฑ์ไดโอดเปล่งแสงอินฟราเรด

Epileds Chip Infrared Emitting Diode 1w 3w high power light emitting diode 730nm 850nm 940nm

ได้รับการรับรอง
ประเทศจีน HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd รับรอง
ประเทศจีน HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd รับรอง
ความคิดเห็นของลูกค้า
ในวันครบรอบ 70 ปีของการก่อตั้งสาธารณรัฐประชาชนจีนโปรดรับการแสดงความยินดีด้วยความจริงใจและอบอุ่นที่สุดในวันหยุดที่ยิ่งใหญ่นี้ เราขอขอบคุณประสบการณ์เชิงบวกของความร่วมมือระหว่าง บริษัท ของเราและหวังเป็นอย่างยิ่งว่าจะได้รับประโยชน์ร่วมกันในการพัฒนาความเป็นหุ้นส่วนของเรา

—— VP Vasilyev

เราร่วมมือกับแสงคู่สำหรับหลาย ๆ ครั้งทุกครั้งที่พวกเขาสนับสนุนเราด้วยผลิตภัณฑ์ที่ดีและราคาที่ดี

—— Berk จากอเมริกา

ร่วมมือกับ Rony ฉันไม่ต้องห่วงมากจนเกินไปเขาสามารถจัดการทุกสิ่งทุกอย่างได้ดี

—— Harper Steve จากตุรกี

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

Epileds Chip Infrared Emitting Diode 1w 3w high power light emitting diode 730nm 850nm 940nm

Epileds Chip Infrared Emitting Diode 1w 3w high power light emitting diode 730nm 850nm 940nm
Epileds Chip Infrared Emitting Diode 1w 3w high power light emitting diode 730nm 850nm 940nm Epileds Chip Infrared Emitting Diode 1w 3w high power light emitting diode 730nm 850nm 940nm

ภาพใหญ่ :  Epileds Chip Infrared Emitting Diode 1w 3w high power light emitting diode 730nm 850nm 940nm

รายละเอียดสินค้า:

Place of Origin: China (mainland)
ชื่อแบรนด์: Double Light
ได้รับการรับรอง: ISO9001:2008,ROHS
Model Number: DL-HP20SIRA-1SIR120

การชำระเงิน:

Minimum Order Quantity: 10,000pcs
Packaging Details: Dimensions per Unit:0.28 × 0.2 × 0.13 Meters • Weight per Unit:3.5 Kilograms • Units per Export Carton:40000 • Export Carton Dimensions L/W/H: 0.45 × 0.28 × 0.27 Meters • Export Carton Weight:14.2 Kilograms
Delivery Time: 5-7 working days after received your payment
Payment Terms: Telegraphic Transfer in Advance (Advance TT, T/T)
Supply Ability: 15,000,000pcs per Day
รายละเอียดสินค้า
Product Name: High Power Infrared LED Diameter: LED Infrared
Emitted Color: Infrared LED Peak Emission Wavelength: 730nm
Chip Material: GaAlAs Lens Type: Water Clear
Forward Voltage @20ma: 1.4-1.8V Viewing Angle: 120 Deg
แสงสูง:

light emitting diode led

,

ir emitting diode

Epileds Chip Infrared Emitting Diode 1w 3w high power light emitting diode 730nm 850nm 940nm

 

High Power Infrared Emitting Diode 

  1.  Features:
    1. Very long operating life (up to 100k hours).
    2. Available in white, green, blue, red, yellow.
    3. More energy efficient than incandescent and most halogen lamps.
    4. Low voltage DC operated.
    5. Cool beam, safe to the touch.
    6. Instant light (less than 100 ns).
    7. The product itself will remain within RoHS compliant Version.

     Applications:
    1. Reading lights (car, bus, aircraft).
    2. Portable (flashlight, bicycle).
    3. Mini_accent/Uplighters/Downlighters/Orientation.
    4. Bollards/Security/Garden.
    5. Cove/Undershelf/Task.
    6. Automotive rear combination lamps.
    7. Traffic signaling/Beacons/ Rail crossing and Wayside.
    8. Indoor/Outdoor Commercial and Residential Architectural.
    9. Edge_lit signs (Exit, point of sale).
    10. LCD Backlights/Light Guides.

 

 

  1. Absolute Maximum Ratings at Ta=25℃
  2. Parameters Symbol Rating Units
    Forward Current IF 500 mA
    Peak Pulse Current (tp≤100μs, Duty cycle=0.25) I pulse 700 mA
    Reverse Voltage VR 5 V
    LED Junction Temperature Tj 125
    Operating Temperature Range Topr -40 to +80
    Storage Temperature Range Tstg -40 to +100
    Soldering Time at 260℃ (Max.) Tsol 5 Seconds
     

    Notes:

  3. Proper current derating must be observed to maintain junction temperature below the maximum.
  4. LEDs are not designed to be driven in reserve bias.
  5.  

    Electrical Optical Characteristics at Ta=25℃

    Parameters Symbol Min. Typ. Max. Unit Test Condition
    Viewing Angle [1] 1/2 --- 120 -- Deg IF=350mA
    Forward Voltage [2] VF 1.6 --- 2.2 V IF=350mA
    Reverse Current IR --- --- 10 µA VR=5V
    Peak Emission Wavelength λp --- 730 --- nm IF=350mA
    Dominant Wavelength λd ---- 730 ---- nm IF =350mA
    Spectrum Radiation Bandwidth Δλ --- 10 --- nm IF=350mA
    Power Intensity Pv 160 --- 240 mw IF=350mA
     

    Notes:

  6. 2θ1/2 is the off axis angle from lamp centerline where the luminous intensity is 1/2 of the peak value.
  7. Forward Voltage measurement tolerance : ±0.1V
  8.  

     

    Notes:

    1. Luminous Radiant is measured with a light sensor and filter combination that approximates the CIE eye-response curve.

    2. θ1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.

 

Infrared Emitting Diode Package Dimension:

Epileds Chip Infrared Emitting Diode 1w 3w high power light emitting diode 730nm 850nm 940nm 0 

 
 

รายละเอียดการติดต่อ
HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd

ผู้ติดต่อ: Roundy

โทร: +8615216951191

ส่งคำถามของคุณกับเราโดยตรง (0 / 3000)

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ